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【摘要】當(dāng)前,我國的半導(dǎo)體制造已經(jīng)進入28納米制程量產(chǎn)節(jié)點,所以很多工廠都引進了相應(yīng)的設(shè)備,所引進的相應(yīng)設(shè)備所使用的化學(xué)品量和相應(yīng)制程與以往有很大的不同。同時,在注重環(huán)保的理念下,相應(yīng)的排放規(guī)則也與以往有所不同,所以這就對其廢水處理有著嚴格的要求。論文首先介紹了先進制程對廢水排放的影響,以及半導(dǎo)體先進制程的廢水處理系統(tǒng)的變化,進而為半導(dǎo)體先進制程的廢水處理提供相應(yīng)參考。
【關(guān)鍵詞】半導(dǎo)體;先進制程;廢水處理技術(shù)
1引言
2017年,我國的半導(dǎo)體工廠數(shù)量越來越多,目前的數(shù)量已經(jīng)能夠滿足社會發(fā)展的需求,而且在數(shù)量不斷增多的基礎(chǔ)上,也在不斷地研究更高水平的半導(dǎo)體。而對于這其中的處理部門而言,在生產(chǎn)過程中濕式蝕刻和化學(xué)機械研磨這兩個部門所消耗的水量較大,那么就會在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)大量的廢水。因此,這就需要根據(jù)這兩個部門來研究其廢水處理技術(shù),減少對水資源的浪費,更好地保護環(huán)境。
2先進制程對廢水排放的影響
在傳統(tǒng)情況下,濕式蝕刻一般會利用相應(yīng)的機械來完成濕式蝕刻的具體處理工序,所利用的機械是將數(shù)十個半導(dǎo)體送入機械中,然后對其進行蝕刻和清洗。在這其中,化學(xué)品的更換標準有兩個[1]:第一,實際的Lot數(shù);第二,物理時間。無論先達到哪一個指標,都會對其進行換酸處理。在這種方法應(yīng)用下的化學(xué)品能夠反復(fù)使用,其沖洗則是按照Lot的具體情況來進行,將對其完成沖洗后的水通過相應(yīng)系統(tǒng)進行回收。而在先進制程情況下,則開始利用SingleWafer這種機器,這類機器的構(gòu)成更為精密,其化學(xué)品處理方式與傳統(tǒng)的機械處理并不相同,此類機器中可能會有幾種不同的制程,例如,清洗、噴氫氟酸,等等。因此,濕式蝕刻部門的廢水總量就開始有所下降,其能夠進行回收的水量也與以往相比有所下降。大多數(shù)情況下,利用這類機器時沒有產(chǎn)生任何回收水,一些化學(xué)品在這種情況下,也不能夠反復(fù)使用,其化學(xué)品的用量有所增長,廢水的濃度增加。光照部門在應(yīng)用先進制程后,其酸堿的廢水并沒有過多改變,其芯片變得復(fù)雜,并且其廢水中的各類廢物,如單乙基醚丙二醇等廢液有所增多,其曝光次數(shù)也明顯增多,排水總量有所增加。
3化學(xué)品用量的變化
相比于之前而言,在先進制程下很多化學(xué)品用量都有著明顯的增加,其廢液的排放量有所提升。例如,在傳統(tǒng)情況下,化學(xué)品一次曝光間隔排放量為1,而先進制程一次曝光間隔使用的化學(xué)品用量為3~4。
4廢水廢液排放濃度的變化
對于半導(dǎo)體制造廠而言,在處理廢液的過程中,應(yīng)該按照我國相關(guān)規(guī)定執(zhí)行,其排放量每天要小于5t,并且在這個過程中盡量不要新建系統(tǒng),而是需要由相應(yīng)的外包廠商來對其進行處理。在先進制程中大多都會利用臭氧氧化制程,并沒有使用新的化學(xué)品,只是對其原有的比例進行修改,進而對其進行使用,以此來獲取更為理想的效果。通過利用SingleWafer,能夠?qū)U水如氨水、氫氟酸的濃度或組分帶來較大的影響。
5廢水處理系統(tǒng)的變化
在先進制程中,半導(dǎo)體行業(yè)廢水處理中的氫氟和氨氮系統(tǒng)依然存在,在這其中有所變化的是雙氧水的用量有很大的提升,這也就導(dǎo)致其排放廢水中的雙氧水比例大幅增加[2]。但是,當(dāng)前我國針對這一方面并沒有明確的規(guī)定,而且在對其處理的過程中,雙氧水的處理較慢,這就導(dǎo)致總排過高的雙氧水會影響COD的測定,而且在不斷分解中會出現(xiàn)氣泡,這樣在利用相應(yīng)機械時,就會影響機械的正常使用。在新建系統(tǒng)的過程中,應(yīng)該積極利用雙氧水處理系統(tǒng),對廢氫氟酸、廢氨水等進行處理,盡量減少磁力泵的使用,因為這類設(shè)備會很容易受到氣泡的影響。在廢氨水系統(tǒng)進水中,我國某半導(dǎo)體廠的雙氧水的濃度過高,如果在這其中是利用吹脫法來對其進行處理,那么效果并不明顯,對其下游利用氫氟處理系統(tǒng)就能夠?qū)ζ溥M行稀釋。如果利用藥劑法來進行處理,其廢水處理成本約為每噸8元。當(dāng)前,利用錳催化還原工藝,能夠?qū)⑵涑杀窘档矫繃?.08元。在40nm以下的制程中,其含氫氟廢水量能夠達到總廢水的35%左右,而傳統(tǒng)的制程下,其只占據(jù)10%左右,一些地區(qū)的排放標準中對氟的要求是每升要低于10mL。因此,在先進制程下,對于廢水處理系統(tǒng)的要求更高,如果沒有從多個方面來對其進行考慮和處理,就很有可能會導(dǎo)致總排超標。此外,工廠不僅需要為其建立規(guī)格較大的回流槽,還應(yīng)該在這其中添加除氟劑,以此來取得更為理想的去除效果。
6新增廢水處理系統(tǒng)
由以上可知,在先進制程下,銅制程的排水量會有所增加,如果在此過程中沒有及時對其進行處理,那么就會導(dǎo)致其排放量高于標準。因此,在這其中就應(yīng)該加設(shè)銅處理系統(tǒng)。對于銅處理系統(tǒng)來說,一般收集電鍍制程的沖洗水和銅制程研磨的含銅排放水。對于濃硫酸銅來說,一般都是利用外載回收的方法,其成本投入更低。對于銅的處理,利用傳統(tǒng)的沉淀法就能夠達到相應(yīng)的效果,雖然在這其中存在一定絡(luò)合態(tài)的銅,但是因為經(jīng)過處理,系統(tǒng)出水能夠較為穩(wěn)定地控制在指標之下。在這其中應(yīng)該注意的就是銅制程下的研磨劑更加容易出現(xiàn)沉淀,進而就會對其排水管道造成堵塞,進而影響沉淀效果。在銅處理系統(tǒng)中,應(yīng)該避免出現(xiàn)糊狀的沉淀物。通常情況下,可以利用硫酸去光阻,隨著SingleWafer設(shè)備的使用,其內(nèi)部的構(gòu)造也越來越復(fù)雜,這樣就導(dǎo)致廢硫酸量與以往相比有所增加。與此同時,為了能夠達到更好的去除光刻膠的效果,就會提高雙氧水的比例,讓其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在這過程中就導(dǎo)致其具備較為明顯的氧化效果,而且在分解過程中還會產(chǎn)生大量的熱。因為在使用過程中,硫酸是在高溫情況下所使用,那么設(shè)備都會為其配備相應(yīng)的制冷裝置,將其溫度控制在一定范圍內(nèi)再對其進行排放。但是,因為不同的設(shè)備其硫酸和雙氧水濃度各不相同,而且在生產(chǎn)過程中還會遇到其溫度變化的問題。因此,雖然根據(jù)相應(yīng)數(shù)據(jù)標準,PVC具備耐硫酸的特點,但是因為半導(dǎo)體廠商都是利用碳鋼材料,這樣就需要在排放時選擇具有資質(zhì)的生產(chǎn)廠商,合理利用其PVDF、PTFE材質(zhì)。在處理過程中,受到其過氧硫酸濃度或者溫度的影響,會對其處理設(shè)備造成一定的影響。當(dāng)前,對于廢硫酸濃度還沒有明確的要求,但是,對于半導(dǎo)體廠商而言,在處理過程中,應(yīng)該先對其中的雙氧水進行處理,以此避免管路的泄漏問題。對于先進制程而言,因為其會利用臭氧進行氧化處理,而對于能夠產(chǎn)生臭氧的相應(yīng)設(shè)備而言,其分為高濃度和低濃度兩種,在這其中的PE材質(zhì)很容易受到臭氧的影響,所以應(yīng)該對臭氧排水進行單獨處理,可以利用PVC、PFA等材質(zhì),這樣能夠更好地保證其管路的質(zhì)量。如果其收集管上有著相應(yīng)的閥門,那么就不應(yīng)該使用PP材質(zhì)。如果已經(jīng)使用了PVC材質(zhì),就應(yīng)該注意其材質(zhì)上閥門的情況,應(yīng)該盡量利用氟橡膠材質(zhì)。產(chǎn)生臭氧的設(shè)備其管道的材質(zhì)為不銹鋼,那么傳統(tǒng)臭氧發(fā)生器所使用的管路不銹鋼管不建議在半導(dǎo)體廠的排水管路上使用,因為在使用SingleWafer之后,大多數(shù)情況下臭氧廢水和氫氟廢水同時排放。
7結(jié)語
總而言之,隨著先進制程的應(yīng)用,半導(dǎo)體廠的廢水排放也與以往有所不同,廢水的濃度升高,而且回收量開始減少。所以,針對這種情況就應(yīng)該增加含銅廢水處理系統(tǒng),進而保證銅排放合理。此外,應(yīng)該添加廢硫酸處理系統(tǒng),以此來替代雙氧水系統(tǒng),進而減少泄漏問題的出現(xiàn),更好地讓廢水處理達到相應(yīng)的標準。
【參考文獻】
【1】張云秀,陳鳴,厲曉華.半導(dǎo)體先進制程對廢水處理的挑戰(zhàn)和對策[J].資源節(jié)約與環(huán)保,2018(11):63-64.
【2】半導(dǎo)體設(shè)備巨頭以鈷代銅行業(yè)需求即將爆發(fā)[J].新疆有色金屬,2017,40(03):98.
作者:魯旭萍 單位:高頻美特利環(huán)境科技(北京)有限公司