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半導(dǎo)體信息雜志

半導(dǎo)體信息雜志部級期刊

Semiconductor Information

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  • 雙月刊 出版周期
主管單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所
主辦單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所
創(chuàng)刊時間:1990
開本:A4
出版地:江蘇
語種:中文
審稿周期:1個月內(nèi)
影響因子:0.01
被引次數(shù):0.003
數(shù)據(jù)庫收錄:

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半導(dǎo)體信息雜志簡介

本刊以馬列主義、思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想為指導(dǎo),全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”,理論聯(lián)系實際,開展教育科學(xué)研究和學(xué)科基礎(chǔ)理論研究,交流科技成果,促進學(xué)院教學(xué)、科研工作的發(fā)展,為教育改革和社會主義現(xiàn)代化建設(shè)做出貢獻。曾用刊名:半導(dǎo)體信息報。

半導(dǎo)體信息雜志欄目設(shè)置

企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)

半導(dǎo)體信息雜志訂閱方式

地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號),郵編:210016。

半導(dǎo)體信息雜志社投稿須知

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(二)文題文題要準(zhǔn)確簡明地反映文章內(nèi)容,一般不宜超過20個字,作者姓名排在文題下。

(三)作者與單位文稿作者署名人數(shù)一般不超過5人,作者單位不超過3個。第一作者須附簡介,包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學(xué)歷、職稱、職務(wù);其它作者附作者單位、地址和郵編。

(四)摘要和關(guān)鍵詞所有論文均要求有中文摘要和關(guān)鍵詞,摘要用第三人稱撰寫,分目的、方法、結(jié)果及結(jié)論四部分,完整準(zhǔn)確概括文章的實質(zhì)性內(nèi)容,以150字左右為宜,關(guān)鍵詞一般3~6個。

(五)標(biāo)題層次一級標(biāo)題用“一、二、……”來標(biāo)識,二級標(biāo)題用“(一)、(二)、……”來標(biāo)識,三級標(biāo)題用“1.2.”來標(biāo)識,四級標(biāo)題用“(1)、(2)”來標(biāo)識。一般不宜超過4層。標(biāo)題行和每段正文首行均空二格。各級標(biāo)題末尾均不加標(biāo)點。

(六)計量單位、數(shù)字、符號文稿必須使用法定的計量單位符號。

(七)參考文獻

限為作者親自閱讀、公開發(fā)表過的文獻,只選主要的列入,采用順序編碼制著錄,按其文中出現(xiàn)的先后順序用阿拉伯?dāng)?shù)字編號,列于文末,并依次將各編號外加方括號置于文中引用處的右上角。書寫格式為:作者.文題.刊名年份;年(期):起始頁.網(wǎng)上參考材料序號.作者.文題網(wǎng)址(至子--欄目).上傳年月。

為保證本刊的權(quán)威性,杜絕任何形式的抄襲稿。稿件文責(zé)由作者自負(fù),編輯部有權(quán)作必要的修改。文稿在3個月內(nèi)未收到退修或錄用通知,作者可自行處理,另投他刊。未被錄用的稿件一般不退稿,請自留底稿。

半導(dǎo)體信息雜志范例

ICInsights上調(diào)今年全球半導(dǎo)體業(yè)資本支出預(yù)估約達513億美元增長率12%

2010年手機MEMS器件市場將達10億美元

2006年全球半導(dǎo)體收入將增長6.8%

海力士與意法半導(dǎo)體合資企業(yè)完成籌資7.5億

Gartner:2006年全球芯片銷量增長10.6%

硅晶圓價格再漲

四川樂山兩大多晶硅項目開建

美國國家半導(dǎo)體推出65V雙通道雙相同步降壓控制器LM5119

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龍芯CPU第一款國產(chǎn)化產(chǎn)品在中科院微電子所封裝成功

歐司朗新芯片讓紅色薄膜LED效率提升30%

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德國拜耳建設(shè)全球最大碳納米管生產(chǎn)基地

法國ALCATEL-THALES研發(fā)GaNMMICPA

德國Fraunhofer大學(xué)開發(fā)Ka波段大功率MMIC

美國Cree公司最新MMIC研制成果

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