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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志
國際簡稱:J NANOELECTRON OPTOE

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

SCIE

按雜志級(jí)別劃分: 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 4區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q4 JCR分區(qū)
  • 179 年發(fā)文量
  • 97.77% 研究類文章占比
  • 0.00% Gold OA文章占比
ISSN:1555-130X
創(chuàng)刊時(shí)間:2006
是否預(yù)警:是
E-ISSN:1555-1318
出版地區(qū):UNITED STATES
是否OA:未開放
出版語言:English
出版周期:Tri-annual
影響因子:0.6
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
審稿周期: 約1.0個(gè)月
H-index:18
出版國人文章占比:0.38
文章自引率:0.1666...

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics雜志簡介

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics是由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊,自2006年創(chuàng)刊以來,一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)(ISSN:1555-130X,E-ISSN:1555-1318),出版周期Tri-annual,其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流,發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,提倡學(xué)術(shù)爭鳴,激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新,開展國際間學(xué)術(shù)交流,為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.1666...,開源內(nèi)容占比0,出版撤稿占比0,OA被引用占比0,讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員,研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者,這些讀者群體來自全球各地,具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收錄,方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用,有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

JCR(Journal Citation Reports)分區(qū),也被稱為JCR期刊分區(qū),是由湯森路透公司(現(xiàn)在屬于科睿唯安公司)制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫,按照期刊的影響因子進(jìn)行排序,按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū):Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))存在不同之處。例如,兩者的分區(qū)數(shù)量不同,JCR分為四個(gè)區(qū),而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科,每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外,兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 94
2015 153
2016 123
2017 185
2018 260
2019 225
2020 200
2021 243
2022 196
2023 179

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱 引用次數(shù)
J NANOELECTRON OPTOE 106
J NANOSCI NANOTECHNO 20
PHYSICA B 18
J MATER SCI-MATER EL 15
MATER RES EXPRESS 14
CERAM INT 13
OPTIK 13
SCI ADV MATER 13
J ALLOY COMPD 10
APPL PHYS A-MATER 9
引用他刊情況
期刊名稱 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 273
APPL PHYS LETT 202
J APPL PHYS 133
IEEE ELECTR DEVICE L 116
J NANOELECTRON OPTOE 106
PHYS REV B 94
THIN SOLID FILMS 87
APPL SURF SCI 83
NANO LETT 81
SUPERLATTICE MICROST 77
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