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Ieee Electron Device Letters

IEEE 電子器件字母
國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：IEEE ELECTR DEVICE L

Ieee Electron Device Letters

SCIE

按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 2區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q2 JCR分區(qū)
  • 477 年發(fā)文量
  • 100.00% 研究類(lèi)文章占比
  • 4.62% Gold OA文章占比
ISSN：0741-3106
創(chuàng)刊時(shí)間：1980
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1558-0563
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否OA：未開(kāi)放
出版語(yǔ)言：English
出版周期：Monthly
影響因子：4.1
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
審稿周期： 約1.3個(gè)月
CiteScore：8.2
H-index：135
出版國(guó)人文章占比：0.35
開(kāi)源占比：0.057
文章自引率：0.1020...

Ieee Electron Device Letters雜志簡(jiǎn)介

Ieee Electron Device Letters是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1980年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：0741-3106，E-ISSN：1558-0563），出版周期Monthly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專(zhuān)業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.1020...，開(kāi)源內(nèi)容占比0.057，出版撤稿占比0，OA被引用占比0，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專(zhuān)業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Electron Device Letters已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

CiteScore（2024年最新版）

  • CiteScore：8.2
  • SJR：1.25
  • SNIP：1.5
學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估，打破了過(guò)去僅依賴(lài)單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過(guò)綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開(kāi)放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過(guò)22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比

Ieee Electron Device Letters中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖

WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱(chēng)為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類(lèi)似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 393
2015 402
2016 394
2017 419
2018 448
2019 459
2020 417
2021 429
2022 522
2023 477

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249
引用他刊情況
期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119
若用戶(hù)需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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